側(cè)壁垂直度是MEMS微溝槽、懸臂梁等微結(jié)構(gòu)的核心成型指標(biāo)，直接決定器件鍵合精度、力學(xué)與電學(xué)性能。光刻、干法刻蝕等工序異常，易引發(fā)側(cè)壁傾斜、頂部擴(kuò)口、底部縮徑等缺陷，造成器件卡滯、性能漂移、批量失效等問題。傳統(tǒng)二維顯微觀測僅能局部形貌觀測，無法量化垂直度偏差，難以精準(zhǔn)定位成型故障根源。

白光干涉儀依托低相干干涉原理，具備納米級三維全域無損掃描能力，可精準(zhǔn)獲取微結(jié)構(gòu)側(cè)壁三維輪廓與傾角數(shù)據(jù)，量化垂直度偏差，區(qū)分側(cè)壁形變類型。基于實測三維數(shù)據(jù)可逆向溯源制程故障：光刻膠涂布不均、曝光偏移易造成圖形畸變；刻蝕腔體氣壓、氣體配比失衡及離子轟擊不均，會破壞刻蝕各向異性，是垂直度超差的核心因。

采用大視野3D白光干涉儀可突破傳統(tǒng)設(shè)備局限，搭載0.6倍輕量化鏡頭，擁有15mm超大單幅視野，單設(shè)備可兼顧大視野觀測與納米級高精度測量，表面粗糙度檢測精度可達(dá)0.006 nm，適配MEMS全流程質(zhì)檢需求。經(jīng)設(shè)備持續(xù)參數(shù)監(jiān)測與工藝優(yōu)化，校準(zhǔn)刻蝕氣路與離子束均勻性、調(diào)整光刻參數(shù)后，MEMS結(jié)構(gòu)側(cè)壁垂直度回歸工藝標(biāo)準(zhǔn)，成型一致性與產(chǎn)品良品率顯著提升，有效解決制程隱性故障。新啟航 專業(yè)提供綜合光學(xué)3D測量方案

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