MEMS 芯片表面粗糙度直接決定器件摩擦損耗、電學穩定性與傳感精度，晶圓研磨、薄膜沉積、干法刻蝕、濕法清洗工序中，拋光壓力波動、沉積速率失穩、刻蝕殘留顆粒、腔體潔凈度不足，均會造成 Ra/Rz 粗糙度超標，衍生微劃痕、微孔、局部凸起缺陷，誘發器件零位漂移、傳感噪聲抬升、微結構過早磨損等不良問題。傳統接觸式粗糙度儀易劃傷微米級 MEMS 梳齒結構，二維顯微設備無法量化三維微觀起伏，難以精準鎖定制程隱患。

3D 白光干涉儀依托非接觸納米檢測特性（垂直分辨率可達 0.01~0.1nm，單幅視場 15mm，原廠儀器招標標定參數），全域掃描芯片三維形貌，精準量化全區域粗糙度數值與缺陷分布。依托實測形貌數據溯源工藝，確定拋光壓力不均、鍍膜參數偏移、刻蝕副產物殘留是粗糙度超標的三大誘因；據此優化研磨壓力、薄膜沉積溫速、后段清洗藥液配比與腔體真空參數，定點消除微觀表面缺陷。

經批量產線落地驗證，優化后 MEMS 芯片粗糙度穩定受控于工藝公差區間，芯片表面均勻度明顯提升，器件摩擦損耗下降、信號噪聲顯著降低，傳感檢測精度與產品服役壽命同步改善。 新啟航 專業提供綜合光學 3D 測量方案

參考文獻

郭彤，胡春光，陳津平，等。垂直掃描白光干涉術用于微機電系統的尺寸表征 [J]. 光學學報，2007,27 (04):668-672. 

[2] 劉濤，王智彬，胡佳琪。大視場白光干涉測量系統及性能研究 [J]. 光子學報，2024,53 (01):0112003. 

[3] 鄧欽元，唐燕，周毅。基于白光干涉頻域分析的高精度表面形貌測量 [J]. 中國激光，2018,45 (06):0604001. 

[4] 中圖儀器 SuperView W1 白光干涉儀產品白皮書 [Z]. 企業原廠公開技術手冊，2025.

 [5] 半導體 MEMS 檢測設備公開招標技術參數（2024-2025）[Z]. 政府采購網公示文件.

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