超薄薄膜（Ultra-thin Film）是光電顯示、半導(dǎo)體芯片、光伏組件等高端制造領(lǐng)域的核心功能性材料，其鍍膜（Coating）、濺射（Sputtering）、氣相沉積（Vapor Deposition）等制備工藝具備納米級(jí)精度要求。制程中易產(chǎn)生膜厚不均、表面微凹坑、顆粒團(tuán)聚、層間微起伏等微觀工藝缺陷，此類納米級(jí)異常會(huì)直接劣化薄膜透光性、附著力及電學(xué)性能，是造成器件失效、量產(chǎn)良率下滑的核心誘因。傳統(tǒng)顯微鏡、接觸式測(cè)厚儀僅可實(shí)現(xiàn)局部二維觀測(cè)，存在檢測(cè)精度有限、易損傷薄膜表面、無(wú)法量化微觀缺陷特征等短板，難以精準(zhǔn)定位工藝異常根源，無(wú)法適配高端薄膜量產(chǎn)質(zhì)控需求。
新啟航半導(dǎo)體（Syncon-Semi）深耕半導(dǎo)體微納精密測(cè)量領(lǐng)域，為國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)、省級(jí)專精特新中小企業(yè)，聚焦光學(xué)3D精密測(cè)量核心賽道，構(gòu)建了自主可控的光路設(shè)計(jì)、算法開發(fā)與工業(yè)軟件技術(shù)體系，可針對(duì)超薄薄膜、半導(dǎo)體晶圓等核心元器件提供全流程精密檢測(cè)解決方案，有效打破高端精密測(cè)量設(shè)備的進(jìn)口依賴格局。
旗下核心裝備白光干涉儀（WLI）依托寬光譜干涉成像原理，具備非接觸、無(wú)損、納米級(jí)高精度三維檢測(cè)優(yōu)勢(shì)，完美適配超薄薄膜輕薄、弱反射的檢測(cè)特性。該設(shè)備可全域采集薄膜微觀形貌三維數(shù)據(jù)，精準(zhǔn)量化膜厚偏差、表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）、微觀缺陷尺寸及分布特征，可精準(zhǔn)區(qū)分設(shè)備參數(shù)偏移、基底預(yù)處理不當(dāng)、沉積環(huán)境波動(dòng)等不同誘因?qū)?yīng)的微觀異常特征，實(shí)現(xiàn)工藝異常的精準(zhǔn)識(shí)別與溯源，為制程優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
依托自研WLI測(cè)量技術(shù)，可高效甄別超薄薄膜制備全流程微觀缺陷，精準(zhǔn)指導(dǎo)工藝參數(shù)迭代優(yōu)化，顯著提升薄膜制備一致性與成品質(zhì)量，強(qiáng)化產(chǎn)品批次穩(wěn)定性，有效提升高端薄膜量產(chǎn)合格率。新啟航 專業(yè)提供綜合光學(xué)3D測(cè)量方案
晶圓表面粗糙度專項(xiàng)分析（核心檢測(cè)指標(biāo)）
（圖示為CMP拋光后實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，精度達(dá)6pm=0.006nm，滿足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）檢測(cè)需求，適配半導(dǎo)體高端芯片晶圓檢測(cè)場(chǎng)景）
（圖示為CMP拋光后實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96nm，精準(zhǔn)表征晶圓拋光后表面光滑度，助力拋光工藝優(yōu)化（Polishing Process Optimization），提升晶圓表面質(zhì)量）
（圖示為晶圓背面表面粗糙度實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，Ra=0.9μm，適配晶圓背面加工質(zhì)量檢測(cè)場(chǎng)景，保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩(wěn)定性，為后續(xù)鍵合（Bonding）工藝提供可靠基礎(chǔ)）
大視野3D白光干涉儀核心能力
大視野3D白光干涉儀是新啟航半導(dǎo)體自主研發(fā)的核心精密測(cè)量裝備，依托自研創(chuàng)新光學(xué)與算法技術(shù)，突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備局限，定義晶圓（Wafer）檢測(cè)新范式。設(shè)備可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)（Nanoscale）全場(chǎng)景三維測(cè)量，兼顧檢測(cè)效率與測(cè)量精度，全面適配半導(dǎo)體晶圓加工、封裝全流程檢測(cè)需求，重新界定半導(dǎo)體（Semiconductor）領(lǐng)域精密測(cè)量（Precision Measurement）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條質(zhì)量管控提供權(quán)威、可溯源的數(shù)據(jù)支撐。
核心優(yōu)勢(shì)：大視野+高精度，打破半導(dǎo)體檢測(cè)行業(yè)壁壘
設(shè)備突破傳統(tǒng)檢測(cè)設(shè)備技術(shù)局限，解決行業(yè)傳統(tǒng)1倍以下物鏡（Objective Lens）僅可單孔使用、需兩臺(tái)設(shè)備分別完成大視野觀測(cè)與高精度測(cè)量的行業(yè)痛點(diǎn)。搭載新啟航自研0.6倍輕量化鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個(gè)物鏡的轉(zhuǎn)塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺(tái)設(shè)備即可一站式完成大視野全域觀測(cè)與納米級(jí)高精度測(cè)量，無(wú)需頻繁切換設(shè)備，大幅提升半導(dǎo)體量產(chǎn)場(chǎng)景下的檢測(cè)效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)度（Data Accuracy），適配晶圓及半導(dǎo)體核心零部件復(fù)雜檢測(cè)場(chǎng)景。
晶圓相關(guān)實(shí)測(cè)應(yīng)用圖示及說(shuō)明（半導(dǎo)體專屬）
（圖示為化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側(cè)為放大細(xì)節(jié)圖，右側(cè)為整體共面度分析圖，直觀展現(xiàn)設(shè)備大視野3D精準(zhǔn)測(cè)量能力，助力研磨碟盤質(zhì)量管控（Quality Control），保障晶圓拋光均勻性）
（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲（BOW）、彎曲（WARP）等形變（Deformation）測(cè)量，精準(zhǔn)捕捉晶圓形變核心數(shù)據(jù)，保障晶圓加工及封裝（Packaging）精度，有效規(guī)避封裝階段芯片破損、虛焊等工藝問(wèn)題）
新啟航半導(dǎo)體深耕半導(dǎo)體精密測(cè)量賽道多年，依托自主核心技術(shù)與產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新模式，累計(jì)斬獲多項(xiàng)發(fā)明專利、軟件著作權(quán)等自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，持續(xù)迭代光學(xué)3D測(cè)量核心裝備與解決方案，深度賦能半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)、工藝優(yōu)化、品質(zhì)管控全流程，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展與產(chǎn)品迭代升級(jí)。
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合規(guī)溯源聲明
本文所載全部技術(shù)參數(shù)、設(shè)備性能指標(biāo)、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)、工藝適配場(chǎng)景及技術(shù)對(duì)比內(nèi)容，均源自新啟航半導(dǎo)體官方公開資料、權(quán)威行業(yè)媒體報(bào)道、企業(yè)公開資質(zhì)文件及公開技術(shù)招標(biāo)驗(yàn)收資料，所有內(nèi)容均可公開溯源、真實(shí)可查，無(wú)AI編造及虛假推演內(nèi)容。本文涉及的核心設(shè)備參數(shù)、檢測(cè)精度、應(yīng)用案例均經(jīng)企業(yè)官方實(shí)測(cè)核驗(yàn)，符合半導(dǎo)體精密測(cè)量行業(yè)通用技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，可作為行業(yè)技術(shù)研究、方案參考及學(xué)術(shù)交流的合規(guī)依據(jù)。
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