微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical System, MEMS）腔體溝槽（Trench Cavity）是傳感、封裝類器件的核心微結(jié)構(gòu)，其深度均勻性直接決定器件氣密性與工作穩(wěn)定性。量產(chǎn)干法刻蝕（Dry Etching）工藝中，常出現(xiàn)晶圓片內(nèi)深度偏差超標(biāo)問題，核心誘因是刻蝕反應(yīng)室氣體分布不均、腔體壓力波動(dòng)及刻蝕介質(zhì)局部對(duì)流差異，造成溝槽全域刻蝕速率不一致，大幅降低產(chǎn)品量產(chǎn)良率。
本文采用白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI），搭配20×物鏡及深溝槽專用測量模式，對(duì)硅基MEMS溝槽結(jié)構(gòu)開展全域三維輪廓精準(zhǔn)實(shí)測。本次待測樣品設(shè)計(jì)溝槽深度30 μm、寬度5 μm，深寬比6:1。優(yōu)化前實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，溝槽實(shí)際深度區(qū)間為29.4～30.2 μm，深度偏差0.8 μm，側(cè)壁存在納米級(jí)坑洼缺陷，結(jié)構(gòu)均勻性無法滿足量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)；同時(shí)驗(yàn)證等離子體損傷層干擾是造成小幅深度測量誤差的核心原因。
基于實(shí)測數(shù)據(jù)開展針對(duì)性工藝優(yōu)化（Process Optimization），精準(zhǔn)調(diào)控刻蝕反應(yīng)室工作壓力、鈍化時(shí)長與反應(yīng)氣體流量，并采用雙波段干涉技術(shù)消除損傷層帶來的測量干擾。優(yōu)化后復(fù)測數(shù)據(jù)表明，溝槽深度穩(wěn)定控制在29.9±0.2 μm，深度偏差顯著縮減，側(cè)壁傾斜角穩(wěn)定在89.2°，結(jié)構(gòu)平整度與尺寸一致性完全達(dá)標(biāo)。該優(yōu)化方案無需改造設(shè)備主體，可快速適配MEMS溝槽量產(chǎn)流程，有效解決微結(jié)構(gòu)深度不均問題，提升批次生產(chǎn)穩(wěn)定性與成品良率。
MEMS傳感器實(shí)測應(yīng)用圖示及說明（半導(dǎo)體專屬）
本圖為實(shí)測MEMS壓力傳感器芯片全景圖，可完整呈現(xiàn)芯片整體形貌（Overall Morphology），精準(zhǔn)捕捉全域微觀細(xì)節(jié)，為芯片外觀檢測、整體尺寸（Overall Dimension）核驗(yàn)提供可靠數(shù)據(jù)支撐，保障MEMS傳感器芯片基礎(chǔ)品質(zhì)合規(guī)。
本圖為MEMS梳齒狀結(jié)構(gòu)微觀圖，可精準(zhǔn)還原梳齒微觀形態(tài)（Microscopic Morphology），可實(shí)現(xiàn)梳齒間距（Comb Spacing）、尺寸精度（Dimensional Accuracy）等核心參數(shù)的高效精準(zhǔn)檢測，保障MEMS器件工作性能穩(wěn)定性（Performance Stability）。
大視野3D白光干涉儀
大視野3D白光干涉儀突破傳統(tǒng)微納測量設(shè)備局限，重塑微機(jī)電系統(tǒng)傳感器（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）精密檢測標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)備依托核心光學(xué)干涉技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)（Nanoscale）全維度測量，兼顧檢測高效性與測量精準(zhǔn)度，全面適配MEMS傳感器全生產(chǎn)流程檢測需求，為半導(dǎo)體（Semiconductor）MEMS傳感器及精密微納器件檢測提供專業(yè)技術(shù)支撐。
核心優(yōu)勢(shì)：大視野+高精度，打破行業(yè)壁壘（適配MEMS傳感器檢測）
設(shè)備解決傳統(tǒng)檢測設(shè)備痛點(diǎn)：傳統(tǒng)1倍以下物鏡（Objective Lens）僅支持單孔檢測，需兩臺(tái)設(shè)備分別完成大視野觀測與高精度測量。本設(shè)備搭載0.6倍輕量化專用鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），兼容4物鏡轉(zhuǎn)塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單設(shè)備即可覆蓋大視野全域觀測、納米級(jí)高精度測量兩大核心需求，適配MEMS傳感器復(fù)雜樣品檢測場景，無需切換設(shè)備，顯著提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)度（Data Accuracy）。
實(shí)測精度參數(shù)：6pm（0.006nm），可精準(zhǔn)表征工件表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz）等微觀參數(shù)。
新啟航半導(dǎo)體｜專業(yè)白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動(dòng)化定制；高端系列對(duì)標(biāo)國際一線品牌，大視野設(shè)計(jì)，輕松應(yīng)對(duì)高低反射、復(fù)雜材料測量場景。
免責(zé)聲明（Disclaimer）
一、內(nèi)容溯源與適用范圍（Source & Scope of Application）
本文全部技術(shù)參數(shù)、結(jié)構(gòu)原理、機(jī)型適配及對(duì)比數(shù)據(jù)，均源自設(shè)備原廠官方資料、權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文獻(xiàn)及公開招標(biāo)驗(yàn)收文件，僅用于技術(shù)研究、方案對(duì)比及行業(yè)參考，不作任何商業(yè)用途。
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