鈣鈦礦組件 P1/P2/P3 激光劃線（Laser Scribing）是子電池串聯成型關鍵工序，劃線生成的毛刺（Burr）、膜層堆積（Accumulation）、微裂紋（Microcrack）三類微觀缺陷，會造成漏電流（Leakage Current）上升、串聯電阻（Series Resistance）波動、器件效率衰減，傳統二維金相顯微鏡（Metallurgical Microscope）、接觸式臺階儀僅單點采樣，無法完整量化三維微觀形貌缺陷。本文依托儀器廠商白皮書、光伏量產公開檢測數據，闡述白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）無損檢測方案對三類缺陷的識別與量化能力。

設備采用垂直掃描干涉（VSI）模式，官方標定垂直分辨率≤0.5nm，經標準臺階樣板溯源標定，測量偏差可控，非接觸采集劃線溝槽全域三維點云數據，同步輸出溝槽深度、側壁起伏、邊緣高度三維指標。量產實測公開數據顯示：邊緣高度超 50nm 毛刺會引發相鄰子電池微導通；槽邊隆起厚度 200nm 以上膜層堆積判定工藝不良；貫穿功能膜層微裂紋會加速水汽侵入、破壞載流子傳輸通道，三類缺陷均可通過三維形貌云圖直觀區分、定量統計尺寸參數。

依托檢測數據集反向優化激光功率、掃描速率、聚焦高度工藝參數，可降低劃線不良率，穩定組件光電轉換性能，適配鈣鈦礦中試與量產微觀質控，填補薄膜劃線納米級缺陷快速檢測空白。

激光劃線實測案例

大視野3D白光干涉儀

突破傳統測量局限，定義精密測量（Precision Measurement）新范式！大視野3D白光干涉儀憑借核心創新技術，實現納米級（Nanoscale）全場景測量，以高效、精準的優勢，重新詮釋工業測量（Industrial Measurement）的高效與精密，為半導體（Semiconductor）、光學及各類精密部件檢測提供全方位技術支撐，適配多領域嚴苛測量需求。

四大核心技術革新（工業級標準，適配半導體場景）

一、大視野+高精度，打破行業常規

打破傳統設備局限，1倍以下物鏡（Objective Lens）可實現多場景適配，無需分開配備設備即可兼顧大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement）。設備搭載全新0.6倍輕量化鏡頭，擁有15.5mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉塔設計（Turret Design），一臺設備即可全面覆蓋大視野觀測與高精度測量需求，適配各類復雜樣品檢測場景，無需頻繁切換設備，大幅提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy）。

（以上為實測14mm端面平面度（Flatness），精準把控部件平面精度，為半導體器件、精密光學部件后續測量提供可靠基礎）

（以上為實測數據：6pm=0.006nm，精準表征表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz），滿足半導體芯片、超精密部件的超精密測量需求）

視野更大，亞微米的痕跡測量，激光共聚焦高倍鏡頭視野太小。白光干涉可實現大事業納米精度測量。

新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。

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