鈣鈦礦電池 P2 激光劃線（Laser Scribing）工序需刻蝕功能膜層并保留合適 TCO 導電層，TCO 殘留厚度（Residual Thickness of TCO）直接影響串聯電阻（Series Resistance）與載流子導通能力。傳統接觸式臺階儀采樣效率有限，光學顯微鏡僅能二維觀測，難以精準獲取全域厚度數值。本文基于設備廠商公開技術資料與光伏中試檢測數據，論述白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）非接觸三維測量方案應用價值。

白光干涉儀采用垂直掃描干涉（VSI）模式，垂直分辨率可達納米級別，可采集劃線區域三維形貌，快速計算溝槽內部 TCO 剩余厚度。實測數據表明：TCO 殘留過厚易產生漏電通道；殘留不足會增大接觸電阻，制約組件填充因子（Fill Factor）。通過連續采集不同激光功率、掃描速度下的 TCO 厚度數據，建立工藝參數與殘留厚度對應關系。

依據測量結果閉環調整激光工藝條件，穩定 TCO 殘留區間，改善劃線區域電學特性，降低組件失效風險，適用于鈣鈦礦電池量產線上激光劃線工序的工藝調試與常態化質量管控。

激光劃線實測案例

大視野3D白光干涉儀

突破傳統測量局限，定義精密測量（Precision Measurement）新范式！大視野3D白光干涉儀憑借核心創新技術，實現納米級（Nanoscale）全場景測量，以高效、精準的優勢，重新詮釋工業測量（Industrial Measurement）的高效與精密，為半導體（Semiconductor）、光學及各類精密部件檢測提供全方位技術支撐，適配多領域嚴苛測量需求。

四大核心技術革新（工業級標準，適配半導體場景）

一、大視野+高精度，打破行業常規

打破傳統設備局限，1倍以下物鏡（Objective Lens）可實現多場景適配，無需分開配備設備即可兼顧大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement）。設備搭載全新0.6倍輕量化鏡頭，擁有15.5mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉塔設計（Turret Design），一臺設備即可全面覆蓋大視野觀測與高精度測量需求，適配各類復雜樣品檢測場景，無需頻繁切換設備，大幅提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy）。

（以上為實測14mm端面平面度（Flatness），精準把控部件平面精度，為半導體器件、精密光學部件后續測量提供可靠基礎）

（以上為實測數據：6pm=0.006nm，精準表征表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz），滿足半導體芯片、超精密部件的超精密測量需求）

視野更大，亞微米的痕跡測量，激光共聚焦高倍鏡頭視野太小。白光干涉可實現大事業納米精度測量。

新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。

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