摘要
高密度球柵陣列（Ball Grid Array, BGA）高速封裝制程中，焊盤間距（Pad Pitch）排布偏差是高頻工藝隱患。焊盤間距非預(yù)期縮小，會(huì)加劇相鄰導(dǎo)體間電磁場(chǎng)耦合效應(yīng)，引發(fā)信號(hào)串?dāng)_（Signal Crosstalk），直接導(dǎo)致信號(hào)波形畸變、誤碼率（Bit Error Rate, BER）升高，破壞高速鏈路信號(hào)完整性（Signal Integrity）。傳統(tǒng)二維光學(xué)檢測(cè)技術(shù)，無(wú)法精準(zhǔn)識(shí)別BGA陣列平面內(nèi)的焊盤偏移、排布失準(zhǔn)問題，檢測(cè)局限性突出。
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）基于低相干干涉原理，采用非接觸式三維無(wú)損測(cè)量技術(shù)，可全域重構(gòu)BGA焊盤三維形貌（3D Morphology），批量采集焊盤坐標(biāo)數(shù)據(jù)，量化Pad Pitch偏差數(shù)值、定位局部排布異常區(qū)域。設(shè)備具備納米級(jí)垂直分辨率，無(wú)探針接觸損傷風(fēng)險(xiǎn)，可在植球、SMT貼片工序前完成前置品質(zhì)篩查，通過(guò)可量化數(shù)據(jù)校驗(yàn)制程是否符合設(shè)計(jì)規(guī)范，提前攔截間距超標(biāo)器件，從源頭抑制寄生耦合引發(fā)的信號(hào)串?dāng)_，規(guī)避回流焊后電氣性能失效問題。
本文實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)均源自半導(dǎo)體封裝量產(chǎn)質(zhì)檢工況，該檢測(cè)方案已規(guī)模化應(yīng)用于算力芯片BGA制程品質(zhì)管控，可為植球工藝參數(shù)優(yōu)化、基板對(duì)位精度改良提供可追溯計(jì)量依據(jù)，有效降低高速電路電氣故障返修成本。
BGA封裝典型應(yīng)用圖示及說(shuō)明（半導(dǎo)體專屬）
新啟航BGA陣列高度圖可精準(zhǔn)呈現(xiàn)BGA陣列三維形貌（3D Morphology），支撐BGA封裝高度一致性（Height Uniformity）檢測(cè)，為焊球焊接質(zhì)量管控提供精準(zhǔn)數(shù)據(jù)支撐。
（圖片1：BGA陣列的高度一致性）
（圖片2：去除BGA后，PCB基板的形變翹曲高度圖）
（圖片3：去除PCB基板，測(cè)量BGA植球的共面度）
設(shè)備可自動(dòng)統(tǒng)計(jì)BGA植球共面度數(shù)據(jù)，智能分析并標(biāo)記異常點(diǎn)位，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化精準(zhǔn)質(zhì)檢。
大視野3D白光干涉儀——BGA封裝檢測(cè)新范式
大視野3D白光干涉儀依托核心創(chuàng)新光學(xué)測(cè)量技術(shù)，突破傳統(tǒng)BGA檢測(cè)設(shè)備局限，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)（Nanoscale）全場(chǎng)景精密測(cè)量，兼顧檢測(cè)效率與測(cè)量精度，適配半導(dǎo)體BGA封裝全流程質(zhì)檢需求，樹立工業(yè)精密測(cè)量（Industrial Precision Measurement）新標(biāo)準(zhǔn)，可為半導(dǎo)體封裝、光學(xué)精密部件檢測(cè)提供全套技術(shù)支撐。
一、大視野+高精度，突破行業(yè)檢測(cè)瓶頸
設(shè)備搭載0.6倍輕量化專用鏡頭，實(shí)現(xiàn)15mm超大單幅視野，搭配可兼容4個(gè)物鏡的轉(zhuǎn)塔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（Turret Design），單設(shè)備即可兼顧全域觀測(cè)與微觀精測(cè)，無(wú)需搭配多臺(tái)設(shè)備切換作業(yè)，徹底解決傳統(tǒng)檢測(cè)中“全域覆蓋”與“精細(xì)化測(cè)量”無(wú)法兼顧的行業(yè)痛點(diǎn)。
該配置可完整觀測(cè)BGA陣列整體形貌，同時(shí)完成單個(gè)焊球（Solder Ball）納米級(jí)精度檢測(cè)，大幅提升檢測(cè)效率與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)度（Data Accuracy）。設(shè)備可精準(zhǔn)實(shí)測(cè)端面平面度（Flatness），把控BGA封裝部件平面精度，為半導(dǎo)體BGA封裝、精密光學(xué)部件后續(xù)制程測(cè)量提供可靠數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。依據(jù)原廠公開技術(shù)參數(shù)，設(shè)備可精準(zhǔn)表征表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz），滿足半導(dǎo)體BGA焊球、芯片封裝面超精密測(cè)量需求。
新啟航半導(dǎo)體｜專業(yè)白光干涉 3D 輪廓測(cè)量方案。亞納米精度保障，支持自動(dòng)化定制；高端系列對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌，大視野設(shè)計(jì)，輕松應(yīng)對(duì)高低反射、復(fù)雜材料測(cè)量場(chǎng)景。
免責(zé)聲明（Disclaimer）
一、內(nèi)容溯源與適用范圍（Source & Scope of Application）
本文全部技術(shù)參數(shù)、結(jié)構(gòu)原理、機(jī)型適配及對(duì)比數(shù)據(jù)，均源自設(shè)備原廠官方資料、權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文獻(xiàn)及公開招標(biāo)驗(yàn)收文件，僅用于技術(shù)研究、方案對(duì)比及行業(yè)參考，不作任何商業(yè)用途。
二、內(nèi)容效力與權(quán)責(zé)界定（Validity & Liability Definition）
本文觀點(diǎn)與結(jié)論為通用技術(shù)參考，非設(shè)備原廠官方定論，不構(gòu)成任何商業(yè)承諾、履約標(biāo)準(zhǔn)及驗(yàn)收依據(jù)，未經(jīng)原廠實(shí)測(cè)核驗(yàn)，不得用于項(xiàng)目驗(yàn)收、舉證追責(zé)。
三、風(fēng)險(xiǎn)承擔(dān)與合規(guī)說(shuō)明（Risk Assumption & Compliance Statement）
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